2024年6月14日，第二屆“2024行家說三代半汽車&光儲充SiC技術應用及供應鏈升級大會”在上海虹橋新華聯(lián)索菲特大酒店隆重召開。大族半導體產(chǎn)品線總經(jīng)理巫禮杰先生作為特邀嘉賓，發(fā)表了題為“激光技術助力8inch SiC襯底降本增效”的專題演講。他憑借豐富的行業(yè)經(jīng)驗和獨到的見解，深入剖析和分享激光技術在半導體加工領域中的前沿應用。

巫總強調，在晶圓制備的切磨拋流程中，線切割技術長久以來是傳統(tǒng)主流的切片技術，但面對碳化硅這種硬度極高的材料，傳統(tǒng)的多線切割技術在襯底加工中面臨重重困難，導致了材料耗損大、出片率低、效率低等諸多問題。隨著半導體行業(yè)對晶圓需求的日益多元化，特別是在大尺寸8inch SiC襯底切片和超薄切片領域，傳統(tǒng)切片技術已無法滿足當前的工藝要求。因此，新型切割技術的突破成為了推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的核心問題。在此背景下，大族半導體成功研發(fā)了QCB激光切片技術，并于2022年重磅推出了新型SiC晶錠激光切片裝備。該裝備在加工材料利用率、出片率、大尺寸切割以及超薄片切割等方面展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢，已成功應用于8inch SiC襯底的量產(chǎn)，同時形成具有自主知識產(chǎn)權的新一代激光切片關鍵技術及裝備，助力8inch SiC襯底降本增效。

SiC晶錠激光切片設備

型號：HSET-S-LS6200

01 應用領域

大族半導體SiC晶錠激光切片裝備應用于第三代半導體SiC晶錠激光切片，SiC超薄晶圓激光切片等領域。

02 技術優(yōu)勢

大族半導體的SiC晶錠激光切片設備在激光切片技術領域展現(xiàn)了顯著的技術優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

● 高動態(tài)高功率飛秒激光器

● 超快激光時空整形同步聚焦調制技術

● 激光加工與材料摻雜實時同步調控技術

● 高效高質低損激光切片剝離分片技術

● 加工面平整，材料耗損低，出片率高

● 加工效率快，良率高，8inch大尺寸加工

● 超薄晶圓加工，加工材料兼容性好

03 實例效果

大族半導體憑借領先的激光裝備技術和創(chuàng)新實力，在半導體加工領域展現(xiàn)出強大的競爭力。除了QCB激光切片裝備外，巫總還特別提及的四款先進激光裝備：SiC激光退火裝備、新型激光改質劃片裝備、激光解鍵合裝備以及激光開槽裝備，均充分展現(xiàn)了大族半導體在高精度、低損傷、高效率、技術創(chuàng)新和成本效益方面的卓越優(yōu)勢。

未來，大族半導體將堅定不移地走在技術創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)的最前沿，致力于滿足半導體行業(yè)日益升級的需求，不斷加大在激光裝備技術領域的投入，積極推動激光加工技術的突破和廣泛應用，引領行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新與發(fā)展。

文章來源：大族半導體

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