5月20日，由深圳市大族半導(dǎo)體裝備科技有限公司主辦，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)支持的“智造不凡，族領(lǐng)未來(lái)”半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)研討會(huì)暨大族半導(dǎo)體2022年新技術(shù)及關(guān)鍵裝備發(fā)布會(huì)在深圳寶安圓滿落幕。

大族半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān) 巫禮杰

大族半導(dǎo)體在本次活動(dòng)中，首次全球發(fā)布激光切片（QCB技術(shù)）新技術(shù)。大族半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)巫禮杰對(duì)該技術(shù)進(jìn)行了全方位的介紹，充分體現(xiàn)了大族半導(dǎo)體在半導(dǎo)體技術(shù)上的研發(fā)底蘊(yùn)與創(chuàng)新實(shí)力，并在此同期發(fā)布了兩款全新設(shè)備：SiC晶錠激光切片機(jī)（HSET-S-LS6200）、SiC超薄晶圓激光切片機(jī)（HSET-S-LS6210），瞬間成為了全場(chǎng)的焦點(diǎn)。據(jù)巫總介紹，以切割2cm厚度的晶錠，分別產(chǎn)出最終厚度350um，175um和100um的晶圓為例，QCB技術(shù)可在原來(lái)傳統(tǒng)線切割的基礎(chǔ)上提升分別為40%，120%和270%的產(chǎn)能，這一革命性突破瞬間吸引眾多行業(yè)內(nèi)人士的關(guān)注。

激光切片（QCB技術(shù)）

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

SiC晶錠激光切片機(jī) HSET-S-LS6200

SiC超薄晶圓激光切片機(jī) HSET-S-LS6210

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