昨日，半導體行業(yè)又傳來一個好消息，中國長城在晶圓切割技術方面取得重大突破：其旗下鄭州軌道交通信息技術研究院聯(lián)合河南通用智能裝備有限公司，僅用了一年時間，便完成了半導體激光隱形晶圓切割設備的技術迭代，分辨率由100nm提升至50nm，達到行業(yè)內(nèi)最高精度，實現(xiàn)了晶圓背切加工的功能。與此同時，持續(xù)優(yōu)化工藝，在原有切割硅材料的技術基礎上，實現(xiàn)了加工CIS、RFID、碳化硅、氮化鎵等材料的技術突破，對進一步提高我國智能裝備制造能力具有里程碑式的意義。

半導體產(chǎn)業(yè)被稱為國家工業(yè)的明珠,晶圓切割則是半導體封測工藝中不可或缺的關鍵工序，是半導體產(chǎn)業(yè)的“心臟”。經(jīng)過“電路制作”后的每一片晶圓上都聚集著數(shù)千，數(shù)萬，甚至十萬的"獨立功能晶粒”，晶圓分割工藝的好壞直接決定半導體工藝連鎖的“生產(chǎn)效率”和”競爭力”的優(yōu)劣。2020年5月，中國長城旗下鄭州軌交院聯(lián)合河南通用智能裝備有限公司，研制出我國首臺半導體激光隱形晶圓切割機，填補了國內(nèi)空白，在半導體激光隱形晶圓切割技術上打破了國外壟斷，關鍵技術性能參數(shù)達到了世界領先水平，開啟了我國激光晶圓切割行業(yè)發(fā)展的序幕。

高精度氣浮載臺

HGL1341晶圓激光隱切設備

分辨率100nm由提升至50nm，是一次迭代升級。中國長城副總裁、鄭州軌交院院長劉振宇介紹到，迭代升級后的激光晶圓隱形切割設備可自由控制激光聚焦點的深度、可自由控制聚焦點的長度、可自由控制兩個焦點之間的水平間隔，通過采用特殊材料、特殊結構設計、特殊運動平臺，可在500mm/S的高速運動之下，保持高穩(wěn)定性、高精度切割，激光焦點僅為0.5um，切割痕跡更細膩，可以避免對材料表面造成損傷，大幅提升芯片生產(chǎn)制造的質(zhì)量、效率、效益。

切割無崩邊、無碎屑

據(jù)介紹，該裝備可廣泛應用于高能集成電路產(chǎn)品，包括CPU制造、圖像處理IC、汽車電子、傳感器、新世代內(nèi)存的制造，對解決我國半導體領域內(nèi)高端智能裝備“卡脖子”問題起到顯著作用。

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