硅光技術的快速發(fā)展不僅為硅光市場帶來了眾多機遇，同時也帶來了一系列的挑戰(zhàn)：如何在短期內(nèi)摸索出符合器件性能標準的工藝制程？如何提高PIC（Photonic Integrated Circuit，光子集成回路）晶圓的生產(chǎn)良率、降低成本？如何縮短芯片研發(fā)時間、加速產(chǎn)品迭代？

解決這些難題的過程中，PIC芯片的測試是不可缺少的一環(huán)。PIC芯片測試相較于IC（Integrated Circuit，集成電路）芯片測試，最大的不同是PIC芯片具有光耦合結構。通常情況下需要實現(xiàn)光纖與片上光耦合結構的精確對準，完成信號光的輸入與輸出（輸出形式可能是光或電）。一般PIC器件具有多個輸入輸出端口且需要保持特定偏振態(tài)的光輸入，因此需要在多個自由度上調(diào)整光纖與芯片的相對位置，這個過程是復雜且耗時的。

為了進一步提高測試效率，行業(yè)內(nèi)會不約而同在晶圓級別進行更多的測試，這對降低硅光芯片成本意義重大。因為唯有快速高效的晶圓級在線測試，才能提高芯片的良率，因此晶圓級全自動化測試的重要性不言而喻。

 晶圓級別測試方法

硅光芯片的耦合方案主要分兩種，即端面耦合器和光柵耦合器。其中，端面耦合器雖然耦合效率高，帶寬大，但是由于其位于芯片的兩端，不方便做片上的在線測試。而光柵耦合器比較靈活，可以位于芯片上的任意位置，因而是晶圓級測試的首選，典型的光柵測試結構如下圖所示：

SPA-100光探針到晶圓高精度定位     

Santec 的光器件鏈路分析儀SPA-100采用了OFDR（光頻域反射測量）技術，與Santec的可調(diào)諧激光器協(xié)同工作時，能夠提供更高的分辨率和測量精度。

測試系統(tǒng)搭建

晶圓級端面耦合需要在幾十微米甚至更小的尺寸范圍內(nèi)進行操作，由于缺乏側面視覺實時觀測，僅靠頂部視覺定位，會導致光探針與芯片端面相撞風險大幅增加，為了規(guī)避探針和芯片的相撞，并且能夠實時探測探針和晶圓之間的距離， SPA-100 是耦合距離非常有效的測試工具。

 SPA-100雙探針定位的應用---穿透模式

SPA-100 提供兩個探針接口，并在儀器背面提供功率監(jiān)控的接口，穿透工作模式下，可以觀測兩個探針在不同位置的時候耦合功率的變化 。

 SPA-100雙探針定位的應用---反射模式

選擇反射模式，移動探針到晶圓距離，實時觀察芯片反射功率隨距離的變化。

光器件鏈路分析儀SPA-100將在9月11日至13日的深圳CIOE2024展會上展出。誠邀蒞臨Santec 展位10A52，了解更多的測試解決方案。

來源：santec 圣德科

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