近日，北京理工大學材料學院鄒炳鎖教授領(lǐng)導的納米光子學團隊在一維半導體超晶格微米線的制備與光學性質(zhì)的研究方面取得突破。

半導體的微納結(jié)構(gòu)的性質(zhì)和應(yīng)用研究正在從電子學轉(zhuǎn)向光電子學乃至光子學轉(zhuǎn)化，性質(zhì)在向信息、能源、傳感和生物等領(lǐng)域滲透交叉。其中電子和光子復(fù)合超晶格備受關(guān)注。因為其可以通過周期的界面來調(diào)控光子、電子和激子的輸運與發(fā)射，在微/納光電子器件領(lǐng)域有著非常重要的應(yīng)用前景。國際上只有通過分子束外延生長這種結(jié)構(gòu)，成功的實例甚少，原因是折射率和電子遷移率同時有差異的相關(guān)材料難以形成超晶格。

在這個工作中，該團隊的代國章博士后采用一種簡單可控的微區(qū)CVD方法實現(xiàn)了一維的光子超晶格結(jié)構(gòu)，主要是II-VI族CdS/CdS:SnS2微米線的生長。這種微米線受光激發(fā)后能夠產(chǎn)生非常完美的周期性發(fā)光，且發(fā)光的周期可以通過改變超晶格分段的長度實現(xiàn)調(diào)控，光子限域的特征十分完美。其簡單的合成方法與材料在光（子）學響應(yīng)的的結(jié)果在國際上首次報道。該成果對降低微型固態(tài)激光器的激發(fā)閾值、實現(xiàn)新型光波導、光開關(guān)，研究激子與光的相互作用具有重要的意義。

該工作是與美國佐治亞理工大學王中林教授合作完成，得到了國家自然科學基金項目、博士后科學基金和北京理工大學“985工程”項目的支持。研究結(jié)果發(fā)表在8月出版的《美國化學會雜志》（Journal of the American Chemical Society）上。