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長光華芯“先進化合物半導(dǎo)體光電平臺”正式封頂
材料來源:蘇州科技城          

9月20日,長光華芯二期項目“先進化合物半導(dǎo)體光電平臺”在太湖科學(xué)城功能片區(qū)正式封頂,將建設(shè)國內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺,為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展添勢蓄能。

據(jù)悉,“先進化合物半導(dǎo)體光電平臺”項目總占地面積約31畝,對標(biāo)國際頂尖水準(zhǔn),建設(shè)生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動力站及配套設(shè)施,打造基于多種化合物半導(dǎo)體的光電與電子器件的材料、工藝以及封裝技術(shù)開發(fā)的先進器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化平臺。

該項目被列入江蘇省重點工程,是在2022年8月8日長光華芯搬遷新基地后的又一重大工程,于2023年開工,預(yù)計2025年建成并全面投產(chǎn)。此次二期項目封頂,標(biāo)志著長光華芯在多種化合物半導(dǎo)體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴展和縱向延伸能力邁上新臺階。

蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司

長光華芯于2012年在江蘇蘇州成立,致力于高功率半導(dǎo)體激光器芯片、激光雷達與3D傳感芯片、高速光通信半導(dǎo)體激光芯片及器件和系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的公司。

目前,長光華芯已建成從芯片設(shè)計、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線,公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產(chǎn)品,在功率、亮度、光電轉(zhuǎn)換效率、壽命等方面屢次突破,獲多項專利,與全球先進水平同步。

文章來源:蘇州科技城
 
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